Tugas 3 Elektronika
Subchapter 5.6
Tujuan :
- Mengetahui fungsi komponen yang digunakan.
- Mengetahui prinsip kerja dari transistor JFET dan BJT.
- Membuat rangkaian aplikasi "transistor JFET dan BJT" pada aplikasi Proteus.
Alat Dan Bahan
- Baterai 12 V
Merupakan penyuplai energi berupa listrik
- Ground
Yaitu dengan menancapkan sebuah batang logam atau pasak biasanya di pasang tegak lurus masuk kedalam tanah. Ada juga yang menggunakan pipa galvanis yang di dalamnya di isi dengan kabel BC, kemudian di hubungkan dengan kabel penyalur melalui bak kontrol.
Bila sistem single grounding masih mendapatkan hasil kurang baik, maka perlu di tambahkan material logam arus pelepas ke dalam tanah yang jarak antara batang logam atau material minimal 2 meter dan dihubungkan dengan kabel BC/BCC.
Penambahan batang logam atau material dapat juga di tanam mendatar dengan kedalaman tertentu, bisa juga mengelilingi bangunan membentuk cincin atau cakar ayam. Kedua teknik ini bisa juga di terapkan secara bersamaan dengan acuan tahanan sebaran/resistansi kurang dari 5 Ohm setelah pengukuran dengan Earth Tester Ground.
3. Maksimum Ground
Maksimum grounding yaitu dengan memasukkan bahan grounding penangkal petir dalam bentuk lembaran tembaga yang diikat oleh kabel BC, serta dengan memasukkan larutan bentonite pada titik grounding penangkal petir tersebut. Hal ini dengan tujuan untuk meningkatkan serta menjaga kualitas resistensi grounding. Biasanya material ini di gunkan pada daerah yang tekstur tanahnya keras atau berbatu.
- Mengetahui fungsi komponen yang digunakan.
- Mengetahui prinsip kerja dari transistor JFET dan BJT.
- Membuat rangkaian aplikasi "transistor JFET dan BJT" pada aplikasi Proteus.
- Baterai 12 V
- Ground
Yaitu dengan menancapkan sebuah batang logam atau pasak biasanya di pasang tegak lurus masuk kedalam tanah. Ada juga yang menggunakan pipa galvanis yang di dalamnya di isi dengan kabel BC, kemudian di hubungkan dengan kabel penyalur melalui bak kontrol.
Bila sistem single grounding masih mendapatkan hasil kurang baik, maka perlu di tambahkan material logam arus pelepas ke dalam tanah yang jarak antara batang logam atau material minimal 2 meter dan dihubungkan dengan kabel BC/BCC.
Penambahan batang logam atau material dapat juga di tanam mendatar dengan kedalaman tertentu, bisa juga mengelilingi bangunan membentuk cincin atau cakar ayam. Kedua teknik ini bisa juga di terapkan secara bersamaan dengan acuan tahanan sebaran/resistansi kurang dari 5 Ohm setelah pengukuran dengan Earth Tester Ground.
3. Maksimum Ground
Maksimum grounding yaitu dengan memasukkan bahan grounding penangkal petir dalam bentuk lembaran tembaga yang diikat oleh kabel BC, serta dengan memasukkan larutan bentonite pada titik grounding penangkal petir tersebut. Hal ini dengan tujuan untuk meningkatkan serta menjaga kualitas resistensi grounding. Biasanya material ini di gunkan pada daerah yang tekstur tanahnya keras atau berbatu.
- Resistor
Menghambat daya
- Transistro JFET
- Resistor
- Transistro JFET
Dasar Teori
5.6 HUBUNGAN PENTING
Sejumlah persamaan penting dan karakteristik operasi telah diperkenalkan di beberapa bagian terakhir yang sangat penting untuk analisis yang diikuti untuk konfigurasi dc dan ac. Dalam upaya untuk mengisolasi dan menekankan pentingnya, mereka diulangi di bawah ini di sebelah persamaan yang sesuai untuk transistor BJT. Persamaan JFET didefinisikan untuk konfigurasi Gambar 5.22a, sedangkan persamaan BJT berhubungan dengan Gambar 5.22b.
Pemahaman yang jelas tentang dampak dari masing-masing persamaan di atas merupakan latar belakang yang cukup untuk mendekati konfigurasi dc yang paling kompleks. Ingatlah bahwa VBE 0,7 V sering kali merupakan kunci untuk memulai analisis konfigurasi BJT. Demikian pula, kondisi IG 0 A sering kali menjadi titik awal untuk analisis konfigurasi JFET. Untuk konfigurasi BJT, IB biasanya merupakan parameter pertama yang ditentukan. Untuk JFET, biasanya VGS. Jumlah persamaan antara analisis konfigurasi BJT dan JFET dc akan menjadi cukup jelas dalam Bab 6.
Sejumlah persamaan penting dan karakteristik operasi telah diperkenalkan di beberapa bagian terakhir yang sangat penting untuk analisis yang diikuti untuk konfigurasi dc dan ac. Dalam upaya untuk mengisolasi dan menekankan pentingnya, mereka diulangi di bawah ini di sebelah persamaan yang sesuai untuk transistor BJT. Persamaan JFET didefinisikan untuk konfigurasi Gambar 5.22a, sedangkan persamaan BJT berhubungan dengan Gambar 5.22b.
Pemahaman yang jelas tentang dampak dari masing-masing persamaan di atas merupakan latar belakang yang cukup untuk mendekati konfigurasi dc yang paling kompleks. Ingatlah bahwa VBE 0,7 V sering kali merupakan kunci untuk memulai analisis konfigurasi BJT. Demikian pula, kondisi IG 0 A sering kali menjadi titik awal untuk analisis konfigurasi JFET. Untuk konfigurasi BJT, IB biasanya merupakan parameter pertama yang ditentukan. Untuk JFET, biasanya VGS. Jumlah persamaan antara analisis konfigurasi BJT dan JFET dc akan menjadi cukup jelas dalam Bab 6.
Percobaan
A. Prosedur percobaan
), dan pada bagian devices klik 'P'.
).
) pada bagian kiri bawah aplikasi untuk menjalankan rangkaian simulasi.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar